| 2SB766A
PDF资料 |
2SB766A
技术资料 |
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| 厂家:Panasonic Semiconductor |
| 网址:
http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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| 页数:2 页 |
| 大小:40 K |
| 说明:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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2SB766A
技术资料 |
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| 厂家:Unisonic Technologies |
| 网址:
http://www.utc-ic.com/
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| 页数:3 页 |
| 大小:120 K |
| 说明:LOW FREQUENCY OUTPUT AMPLIFICATION |
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2SB766AQ
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
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2SB766AR
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
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2SB766AS
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
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2SB766Q
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
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2SB766R
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
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2SB766S
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
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2SB767
技术资料 |
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| 厂家:Panasonic Semiconductor |
| 网址:
http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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| 页数:2 页 |
| 大小:39 K |
| 说明:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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2SB767Q
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:66 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
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2SB767R
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:66 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
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2SB767S
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:66 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
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2SB768
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:4 页 |
| 大小:194 K |
| 说明:PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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2SB768K
技术资料 |
|
| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:0 页 |
| 大小:194 K |
| 说明:BJT
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2SB768L
技术资料 |
|
| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:0 页 |
| 大小:194 K |
| 说明:BJT
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2SB768M
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:0 页 |
| 大小:194 K |
| 说明:BJT
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