| 2SJ284-TB
PDF资料 |
2SJ285
技术资料 |
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| 厂家:Sanyo Semicon Device |
| 网址:
www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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| 页数:3 页 |
| 大小:74 K |
| 说明:Very High-Speed Switching Applications |
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2SJ286
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:79 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 150MA I(D) | TO-236
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2SJ287
技术资料 |
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| 厂家:Sanyo Semicon Device |
| 网址:
www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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| 页数:3 页 |
| 大小:83 K |
| 说明:Very High-Speed Switching Applications |
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2SJ288
技术资料 |
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| 厂家:Sanyo Semicon Device |
| 网址:
www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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| 页数:3 页 |
| 大小:84 K |
| 说明:Very High-Speed Switching Applications |
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2SJ289
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:42 K |
| 说明:
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2SJ290
技术资料 |
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| 厂家:Hitachi Semiconductor |
| 网址:
http://www.renesas.com/eng/
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| 页数:8 页 |
| 大小:125 K |
| 说明:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ291
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:47 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB
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2SJ292
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:19 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
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2SJ293
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:105 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220FN
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2SJ294
技术资料 |
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| 网址:
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| 大小:109 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220FN
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2SJ295
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:106 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220FN
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2SJ296(L)
技术资料 |
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| 网址:
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| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA
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2SJ296(S)
技术资料 |
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| 大小:80 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB
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2SJ296L
技术资料 |
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| 大小:15 K |
| 说明:
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2SJ296S
技术资料 |
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| 网址:
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| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB
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2SJ297(L)
技术资料 |
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| 大小:80 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA
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