| UPA802TC-T1
PDF资料 |
UPA802T-T1
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:6 页 |
| 大小:54 K |
| 说明:HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA803
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:61 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA803
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:61 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA803T
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
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| 页数:8 页 |
| 大小:61 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA803T-T1
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
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| 页数:8 页 |
| 大小:61 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA804
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
http://www.ncsd.necel.com/
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| 页数:16 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
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UPA804
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
| 网址:
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| 页数:16 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
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UPA804T
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:359 K |
| 说明:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SO
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UPA804TC
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| 厂家:NEC |
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| 页数:16 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
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UPA804TC-T1
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| 页数:16 页 |
| 大小:67 K |
| 说明:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
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UPA805
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
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| 页数:6 页 |
| 大小:59 K |
| 说明:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA805
技术资料 |
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| 厂家:NEC |
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| 页数:6 页 |
| 大小:59 K |
| 说明:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA805T
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| 厂家:NEC |
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| 页数:6 页 |
| 大小:59 K |
| 说明:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA805T-T1
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| 厂家:NEC |
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| 大小:59 K |
| 说明:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA806
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| 厂家:NEC |
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| 页数:6 页 |
| 大小:51 K |
| 说明:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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UPA806
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| 大小:51 K |
| 说明:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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