| ISL9N303AS3ST
PDF资料 |
ISL9N303AS3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:276 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз |
|
ISL9N304AP3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:200 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mз |
|
ISL9N304AS3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:200 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mз |
|
ISL9N305ASK8T
技术资料 |
|
| 网址:
|
| 页数:0 页 |
| 大小:313 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 18A I(D) | SO
|
|
ISL9N306AD3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:260 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз |
|
ISL9N306AD3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:260 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз |
|
ISL9N306AP3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:210 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
ISL9N306AS3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:210 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
ISL9N307AD3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:193 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
ISL9N307AP3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:144 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
ISL9N307AS3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:144 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
ISL9N308AD3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:280 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз |
|
ISL9N308AD3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:280 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз |
|
ISL9N308AP3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:144 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 8m з |
|
ISL9N308AS3ST
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:144 K |
| 说明:N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 8m з |
|
ISL9N310AD3
技术资料 |
|
| 厂家:Fairchild Semiconductor |
| 网址:
http://www.fairchildsemi.com/
|
| 页数:11 页 |
| 大小:138 K |
| 说明:N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
| |