| MTP5P06V
PDF资料 |
MTP5P06V
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:196 K |
| 说明:TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM |
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MTP5P25
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:5 页 |
| 大小:171 K |
| 说明:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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MTP5P25
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:5 页 |
| 大小:171 K |
| 说明:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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MTP60N05
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:170 K |
| 说明:TMOS POWER FET 60 AMPERES 50 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM |
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MTP60N05
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:170 K |
| 说明:TMOS POWER FET 60 AMPERES 50 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM |
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MTP60N05HDL
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:170 K |
| 说明:TMOS POWER FET 60 AMPERES 50 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM |
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MTP60N06
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:222 K |
| 说明:TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM |
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MTP60N06
技术资料 |
|
| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
|
| 页数:8 页 |
| 大小:222 K |
| 说明:TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM |
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MTP60N06HD
技术资料 |
|
| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:222 K |
| 说明:TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM |
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MTP6N10
技术资料 |
|
| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:5 页 |
| 大小:176 K |
| 说明:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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MTP6N10
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
|
| 页数:5 页 |
| 大小:176 K |
| 说明:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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MTP6N60
技术资料 |
|
| 厂家:STMicroelectronics |
| 网址:
http://www.st.com/
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| 页数:9 页 |
| 大小:157 K |
| 说明:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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MTP6N60E
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:160 K |
| 说明:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS |
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MTP6P20E
技术资料 |
|
| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:221 K |
| 说明:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM |
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MTP6P20E
技术资料 |
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| 厂家:ON Semiconductor |
| 网址:
http://www.onsemi.com
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| 页数:9 页 |
| 大小:105 K |
| 说明:是功率MOSFET设计,高能量的雪崩和减刑模式。 |
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MTP75N03HDL
技术资料 |
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| 厂家:Motorola, Inc |
| 网址:
http://www.freescale.com/
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| 页数:8 页 |
| 大小:241 K |
| 说明:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 75 AMPERES RDS(on) = 9.0 mOHM 25 VOLTS |
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