欢迎光临专业IC交易平台:我们一直在努力! 导航: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z  
网站首页 | 电子制作 | 自控与测量 | 嵌入式系统 | 芯片应用 | 传感技术 | 电源技术 | 单片机开发 | 电子知道 | 网文精粹
IC搜索:
ICL7660ISA  SP208ECT  UPD7210C  ST72F264G2M6  IMP708TESA  PCD3310T  IRF7103TR  MM1562FFBE  TA7335P  L6565  

GT-48360-L-1元器件产品,GT-48360-L-1行情、价格、技术资料

 当前位置: 首页 --> 型号索引 GT-48360-L-1货源及技术资料
 GT-48360-L-1 PDF资料
 GT-48360-L-1 PDF  GT50G321  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:294 K
  说明:TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50G321  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:294 K
  说明:TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J102  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:5 页
  大小:260 K
  说明:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J121  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:325 K
  说明:TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J121  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:325 K
  说明:TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J121  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:195 K
  说明:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J121_06  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:195 K
  说明:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J122  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:164 K
  说明:Current Resonance Inverter Switching Application
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J301  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:5 页
  大小:289 K
  说明:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J322  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:5 页
  大小:261 K
  说明:N CHANNEL MOS TYPE (THE 4TH CENERATION CURRENT RESONACE INVERTER SWITHCING APPLICATIONS)
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J322  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:629 K
  说明:SILICON N CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J322_06  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:6 页
  大小:629 K
  说明:SILICON N CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J325  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:7 页
  大小:174 K
  说明:TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J325  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:7 页
  大小:174 K
  说明:TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J325  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:7 页
  大小:203 K
  说明:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
 GT-48360-L-1 PDF  GT50J325_06  技术资料
Toshiba Semiconductor
  厂家:Toshiba Semiconductor
  网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
  页数:7 页
  大小:203 K
  说明:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
 
  • NO.
  • 询价
  • 型号
  • 数量
  • 厂家
  • 封装
  • 批号
  • 说明
  • 时间
  • 供应企业
    • 58
    • 马上询价
    • GT-48360-L-1
    • 19
    • GALILEO
    • QFP
    • 2000
    • 全新原装本公司专业IC配单,价格绝对优..
    • 2012-5-25
    • 深圳创航联电子 会员年资2