| BSM200GB120DLC
PDF资料 |
BSM200GB120DLC
技术资料 |
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| 厂家:eupec GmbH |
| 网址:
http://www.eupec.com
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| 页数:8 页 |
| 大小:92 K |
| 说明:IGBT-Modules |
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BSM200GB120DN2
技术资料 |
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| 厂家:Siemens Semiconductor Group |
| 网址:
http://www.infineon.com/
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| 页数:9 页 |
| 大小:134 K |
| 说明:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
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BSM200GB170DLC
技术资料 |
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| 厂家:eupec GmbH |
| 网址:
http://www.eupec.com
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| 页数:8 页 |
| 大小:83 K |
| 说明:Technical Information |
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BSM200GB60DLC
技术资料 |
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| 厂家:eupec GmbH |
| 网址:
http://www.eupec.com
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| 页数:8 页 |
| 大小:110 K |
| 说明:Technicshe Information |
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BSM200GD60DLC
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:87 K |
| 说明:IGBT Module
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BSM200GD60DLC
技术资料 |
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| 厂家:eupec GmbH |
| 网址:
http://www.eupec.com
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| 页数:9 页 |
| 大小:111 K |
| 说明:IGBT-Module |
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BSM200GT120DN2
技术资料 |
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| 厂家:Siemens Semiconductor Group |
| 网址:
http://www.infineon.com/
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| 页数:9 页 |
| 大小:184 K |
| 说明:IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
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BSM204A
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:72 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 50V V(BR)DSS | 200A I(D)
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BSM20GD60DLCE3224
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:95 K |
| 说明:IGBT Module
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BSM20GD60DN2
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:99 K |
| 说明:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C)
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BSM20GD60DN2E3224
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:101 K |
| 说明:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C)
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BSM20GP60
技术资料 |
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| 厂家:eupec GmbH |
| 网址:
http://www.eupec.com
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| 页数:12 页 |
| 大小:166 K |
| 说明:IGBT-Modules |
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BSM20GP602
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:114 K |
| 说明:IGBT Module
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BSM214A
技术资料 |
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| 网址:
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| 页数:0 页 |
| 大小:72 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 125A I(D)
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BSM224A
技术资料 |
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| 页数:0 页 |
| 大小:72 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 200V V(BR)DSS | 81A I(D)
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BSM244F
技术资料 |
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| 页数:0 页 |
| 大小:298 K |
| 说明:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 400V V(BR)DSS | 45A I(D)
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